Galaxy Z Fold 8 sẽ có khả năng sạc nhanh hơn bản tiền nhiệm

Theo tin đồn mới nhất, chiếc Galaxy Z Fold 8 có thể mang đến nâng cấp sạc pin lần đầu tiên kể từ năm 2020.

Năm ngoái, Galaxy Z Fold 7 đã mang đến một sự thay đổi ngoạn mục về thiết kế nhưng Samsung vẫn giữ tốc độ sạc chỉ 25W. Công ty sẽ ra mắt Galaxy Z Fold 8 và một chiếc Wide Fold vào cuối năm nay.

Mới đây, Cơ quan 3C của Trung Quốc đã đăng tải hồ sơ pháp lý cho Galaxy Z Fold 8 và Galaxy Wide Fold. Galaxy Z Fold 8 có số hiệu model SM-F9760, trùng khớp với số hiệu model F966x của Galaxy Z Fold 7. Chữ “0” ở cuối số hiệu thường ám chỉ cho phiên bản Trung Quốc. Trong khi đó, chiếc Galaxy Wide Fold có số hiệu model SM-F9710, phù hợp với các thông tin rò rỉ trước đó.

Ảnh minh họa.

Theo nguồn tin, những chiếc điện thoại màn hình gập này được liệt kê với sạc nhanh có dây 45W (15V/3A hoặc 10V/4.5A). Đây sẽ là một nâng cấp đáng kể cho Galaxy Z Fold 8 nói riêng vì mọi chiếc Galaxy Z Fold kể từ Galaxy Z Fold 2 đều chỉ có khả năng sạc tối đa 25W. Điều này cũng phù hợp với thông tin rò rỉ cho thấy Galaxy Z Fold 8 sẽ có pin 5.000mAh - một nâng cấp nhỏ so với Galaxy Z Fold 7. Vì vậy, sự kết hợp giữa sạc nhanh hơn và pin lớn hơn sẽ không khiến thời gian sạc bị kéo dài.

Đây không phải là chiếc điện thoại màn hình gập Galaxy sắp ra mắt duy nhất được 3C liệt kê. Galaxy Z Flip 8, mang số hiệu model SM-F7760 cũng xuất hiện trên trang web ngay trước đó.

Tin đồn về dòng Galaxy Z của Samsung.

Thông tin cho thấy Galaxy Z Flip 8 sẽ vẫn duy trì sạc nhanh có dây 25W (9V/2.77A). Tốc độ sạc này tương tự như chiếc Galaxy Z Flip năm ngoái nhưng vẫn chậm hơn so với các điện thoại Android khác. Thực tế, trong bài đánh giá Galaxy Z Flip 7, các chuyên gia phải mất hơn 90 phút để sạc đầy 100%.

Các thông tin rò rỉ trước đó còn cho thấy hãng cũng đang phát triển Galaxy Z Flip 8 FE giá phải chăng. Tuy nhiên, cuộc khủng hoảng RAM có thể ảnh hưởng nghiêm trọng đến kế hoạch của Samsung.

Cùng chờ xem trong cuối năm nay, "ông trùm" công nghệ này sẽ tung ra những siêu phẩm gì tới công chúng.