Samsung sắp ra hầu tòa vì cáo buộc vi phạm bằng sáng chế FinFET

FinFET là công nghệ khiến Samsung đầy tự hào trong thời gian gần đây, được sử dụng để sản xuất chip Qualcomm Snapdragon 835.

Theo nguồn tin từ phía truyền thông Hàn Quốc, nhà sản xuất Samsung đã bị phía KAIST – Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (Korea Advanced Institute of Science and Technology) khởi kiện vì vi phạm bản quyền sáng chế công nghệ FinFET.

Trước đó, KAIST đã phát triển quy trình công nghệ 10nm FinFET đang được Samsung sử dụng để sản xuất chip cao cấp Qualcomm nhờ “đánh cắp”.

Samsung bị cáo buộc vi phạm bằng sáng chế công nghệ FinFET của KAIST.

Giả thuyết được đưa ra là Samsung đã biết được quy trình sản xuất công nghệ này từ vị giáo sư của Đại học Quốc gia Seoul, một trong những đối tác của KAIST – Lee Jong Ho khi mời người đàn ông này hỗ trợ phát triển công nghệ FinFET.

Phía Intel cũng lên tiếng đồng thuận với KAIST và cho rằng thương hiệu này mới là tác giả thực sự của FinFET với đầy đủ giấy phép sử dụng (Samsung chưa có). Ngoài Samsung, KAIST sẽ tiến hành kiện cáo một số công ty khác như Qualcomm và TSMC vì vi phạm bản quyền công nghệ của hãng.

Không chỉ Samsung, các “ông lớn” công nghệ khác như Apple hay Google và Microsoft cũng thường hay dính phải những vụ kiện về bằng sáng chế. Điều đáng nói ở đây là các vụ kiện thường kết thúc đột ngột do một trong 2 bên đồng ý chi trả một số tiền bồi thường nhất định cho bên còn lại.