Linh kiện này đang hiện thực hóa ổ cứng SSD giá rẻ dung lượng "khủng"

Một NAND flash 4D mới vừa được SK hynix công bố với số lượng lớp ô nhớ khổng lồ.

Theo TechRadar, SK hynix đã phát triển thành công NAND flash 4D mới, với số lượng lớp ô nhớ vô cùng lớn lên đến con số 238, mở đường cho những ổ SSD trong tương lai có dung lượng khủng và tốc độ cực nhanh, công ty đã công bố.

Công nghệ NAND flash mới được giới thiệu tại hội nghị Flash Memory Summit được tổ chức tại thành phố Santa Clara (California, Mỹ). Chip nhớ mới được mô tả là “NAND 4D TLC 512GB với 238 lớp ô nhớ đầu tiên trên thế giới” và dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm 2023.

NAND flash 4D mới với 238 lớp ô nhớ của SK hynix.

So với mô hình 176 lớp ô nhớ trước đó, NAND mới được cho là cung cấp tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 50% (ở mức 2,4GB/giây), hiệu quả năng lượng cao hơn 21% cho việc đọc dữ liệu và tăng 34% năng suất tổng thể.

Đồng thời sự xuất hiện của sản phẩm cũng sẽ giúp SK hynix giành được kỷ lục về số lượng ô nhớ của NAND cao nhất thế giới từ nhà sản xuất đối thủ Micron, công ty có mẫu sản phẩm mới nhất với số lượng 232 lớp ô nhớ.

NAND flash 4D 238 lớp có gì đặc biệt?

NAND flash là một loại bộ nhớ thường thấy trong các loại thiết bị lưu trữ, từ thẻ nhớ, USB và ổ đĩa di động, đến SSD cho các hệ thống máy chủ, PC và laptop.

Xu hướng chung trong việc phát triển NAND flash là giảm chi phí trên mỗi dung lượng và tăng mật độ lưu trữ, loại bỏ hiệu quả các nhược điểm cuối cùng còn sót lại đối với ổ đĩa HDD truyền thống. Sự xuất hiện của sản phẩm mới từ SK hynix đánh dấu một bước tiến lớn tiếp theo trong hành trình này.

Không giống như các sản phẩm NAND flash khác trên thị trường, các chip mới nhất trong dòng sản phẩm của công ty có kiến trúc “4D”, theo đó các mạch logic được đặt bên dưới các ô nhớ. SK hynix cho biết thiết kế này sẽ giúp diện tích ô nhớ nhỏ hơn trên mỗi đơn vị, dẫn đến hiệu quả sản xuất cao hơn.

Trái với kỳ vọng, NAND flash mới sẽ không đến với điện thoại thông minh và máy chủ dung lượng cao vào thời điểm đầu vòng đời của nó. Nhưng nó sẽ khiến cho những người sáng tạo nội dung và game thủ PC phấn khích vì mục tiêu ban đầu của SK hynix là những thiết bị máy khách.

SK hynix cũng tiết lộ họ đang phát triển một sản phẩm 238 lớp ô nhớ với dung lượng 1TB, sẽ tăng gấp đôi mật độ lưu trữ của con chip mới khi nó ra mắt vào năm sau.

Nguồn: [Link nguồn]Nguồn: [Link nguồn]