Samsung bắt đầu sản xuất bộ nhớ DRAM 10nm thế hệ thứ hai

Bộ nhớ DRAM 10nm thế hệ thứ hai của Samsung có tốc độ và hiệu suất được cải thiện hơn nhiều so với thế hệ đầu tiên.

Vào ngày 20/12 vừa qua, Samsung đã chính thức lên tiếng công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ DDR4 DRAM 8 gigabit (10nm) thế hệ thứ hai. Chip nhớ này sẽ được sử dụng trong hàng loạt các dòng máy tính mới, đem lại hiệu năng cao nhất và tiết kiệm năng lượng trên kích thước nhỏ hơn.

Ông Gyoyoung – Chủ tịch bộ phận kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics cho hay: “Thông qua việc tăng tốc độ của DRAM 10nm thế hệ thứ hai, chúng tôi sẽ mở rộng sản xuất DRAM 10nm một cách tích cực hơn, nhằm đáp ứng nhu cầu mạnh mẽ của thị trường và tăng khả năng cạnh tranh của doanh nghiệp.”

Samsung bắt đầu sản xuất bộ nhớ DRAM 10nm thế hệ thứ hai - 1

Samsung đã bắt đầu sản xuất bộ nhớ DRAM 10nm thế hệ thứ hai.

Bộ nhớ DDR4 DRAM 8 gigabit (10nm) thế hệ thứ hai có năng suất cao hơn khoảng 30% so với thế hệ đầu tiên. Thêm nữa, bộ nhớ này còn nhanh hơn 10% và hiệu quả hơn 15% nhờ sử dụng công nghệ thiết kế mạch tiên tiến, độc quyền.

Bộ nhớ mới này có thể hoạt động ở tốc độ 3.600 megabit/ giây (Mbps) trên một viên pin, nhanh hơn nhiều so với tốc độ 3.200 Mbps của thế hệ bộ nhớ cũ. Để đạt được thành tựu này, Samsung đã áp dụng công nghệ mới thay vì quá trình EUV. Hiện hãng cũng đang đẩy nhanh kế hoạch giới thiệu các chip và hệ thống DRAM tiếp theo, bao gồm: DDR5, HBM3, LPDDR5 và DDR6.

Samsung đã hoàn tất việc xác nhận các mô đun DDR4 10nm thế hệ thứ hai với các nhà sản xuất chip xử lý (CPU) và đang có kế hoạch làm việc với các khách hàng IT trên toàn cầu để phát triển các hệ thống máy tính thế hệ tiếp theo hiệu quả hơn. Ngoài việc tăng nhanh khối lượng sản xuất của dòng sản phẩm DRAM 10nm thế hệ thứ 2, nhà sản xuất DRAM hàng đầu thế giới còn tăng cường sản xuất nhiều bộ nhớ DRAM 10nm thế hệ thứ nhất, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về DRAM cho các hệ thống điện tử cao cấp trên toàn thế giới.